半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构
基本信息
| 申请号 | CN202122745518.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216514082U | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN216514082U | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C23C14/24（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 陈灿 | 申请（专利权）人 | 淄博绿能芯创电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 255025山东省淄博市高新区中润大道158号MEMS产业园区8#楼4楼416 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及挡板结构技术领域的半导体蒸发镀膜设备蒸发源预熔化挡板结构，包括蒸发源预熔挡板和连接杆，蒸发源预熔挡板通过固定块螺栓连接于连接杆上，连接杆安装于半导体蒸发镀膜设备的转轴上，蒸发源预熔挡板位于蒸发源正上方。本实用新型通过挡板有效阻挡了蒸发源散预熔化时发出来的分子或原子泄漏到产品上，提高产品的质量，降低成本；通过连接杆的使用有效实现对挡板的转动，便于使用。 |
