一种肖特基二极管结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110602533.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113193054A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113193054A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L23/31;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 淄博绿能芯创电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 李佳俊;郭国中 |
| 地址 | 255025 山东省淄博市高新区中润大道158号MEMS产业园区8#楼4楼416 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种肖特基二极管结构及其制备方法，包括第一金属镀层、第二金属镀层、保护层、及衬底片；所述第一金属镀层设置在所述第二金属镀层下，所述第一金属镀层的面积大于所述第二金属镀层的面积，所述第二金属镀层与所述第一金属镀层的边缘位置不接触；所述第一金属镀层设置在所述衬底片上，所述保护层覆盖在所述第一金属镀层的边缘位置处。本发明解决了在制备银表面高可靠性肖特基二极管时,由于保护层与第二金属镀层间粘合力不足，保护层会发生脱落的问题。 |
