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碳化硅二极管结构及制作方法

基本信息

申请号 CN202110722082.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113540258A 公开（公告）日 2021-10-22
申请公布号 CN113540258A 申请公布日 2021-10-22
分类号 H01L29/872;H01L29/06;H01L23/31;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 淄博绿能芯创电子科技有限公司
代理机构 上海段和段律师事务所 代理人 郭国中;李佳俊
地址 255025 山东省淄博市高新区中润大道158号MEMS产业园区8#楼4楼416
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种碳化硅二极管结构及制作方法，包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、正面电极、肖特基势垒层、P型分压环、N型截止环、复合终端钝化层、欧姆接触层以及背面电极；背面电极、欧姆接触层、碳化硅衬底从下往上依次叠加，N型截止环位于P型分压环的外侧；肖特基势垒层和正面电极在碳化硅外延层的上表面从下往上依次叠加，复合终端钝化层设置在碳化硅外延层的上表面，复合终端钝化层将正面电极半包围。通过带有阻挡缓冲层的双层碳化硅外延，减少了碳化硅衬底的缺陷，通过N型截止环，可以有效的截断漏电通道产生的漏电流，能够减少器件边缘漏电量大的情况发生；复合终端钝化层可以对器件形成整体保护，增强了器件可靠性。