InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法

基本信息

申请号	CN201610945995.8	申请日	-
公开（公告）号	CN106785919B	公开（公告）日	2020-05-26
申请公布号	CN106785919B	申请公布日	2020-05-26
分类号	H01S5/343	分类	基本电气元件;
发明人	田爱琴;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉	申请（专利权）人	杭州增益光电科技有限公司
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司	代理人	孙伟峰;武岑飞
地址	310026 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道21号大街600号2幢110室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种InGaN/GaN量子阱激光器，其包括：衬底；依序在衬底上的低温GaN缓冲层、高温n型GaN层和n型AlGaN光限制层；在n型AlGaN光限制层上的n型InGaN下波导层；在n型InGaN下波导层上的InGaN/GaN量子阱有源区；在InGaN/GaN量子阱有源区上的u型InGaN上波导层；在u型InGaN上波导层上的p型AlGaN电子阻挡层；在p型AlGaN电子阻挡层上的p型AlGaN/GaN光限制层；在p型AlGaN/GaN光限制层上的p型GaN欧姆接触层。本发明还公开一种该InGaN/GaN量子阱激光器的制作方法。本发明采用1～2个单原子层厚度的In_xGa_1‑xN插入盖层使InGaN量子阱表面二维岛状的形貌变得平整，从而In组分分布更加均匀，且使之后形成的GaN盖层有更好的质量，在升温过程中保证InGaN量子阱不会发生分解，并且在之后的高温生长p型AlGaN/GaN光限制层的过程中不会发生热退化。