半导体激光器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201610363086.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106785912B | 公开（公告）日 | 2020-04-10 |
| 申请公布号 | CN106785912B | 申请公布日 | 2020-04-10 |
| 分类号 | H01S5/30;H01S5/34 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程洋;刘建平;田爱琴;冯美鑫;张峰;张书明;李德尧;张立群;杨辉 | 申请（专利权）人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙伟峰 |
| 地址 | 310026 浙江省杭州经济技术开发区白杨街道21号大街600号2幢110室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，其包括衬底以及在所述衬底上依次叠层设置的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层；该半导体激光器还包括夹设于所述下波导层与所述量子阱有源区之间的空穴阻挡层。根据本发明的半导体激光器通过在下波导层与量子阱有源区之间制备空穴阻挡层，从而有效阻挡了空穴从量子阱有源区向下波导层、下限制层的N型区一侧泄露，提高了载流子的注入效率，从而提升了该半导体激光器的性能。本发明还公开了上述半导体激光器的制作方法。 |
