一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410120399.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104953467B | 公开（公告）日 | 2019-02-12 |
| 申请公布号 | CN104953467B | 申请公布日 | 2019-02-12 |
| 分类号 | H01S5/343 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温鹏雁;李德尧;张书明;刘建平;张立群;杨辉 | 申请（专利权）人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙伟峰;杨林 |
| 地址 | 310026 浙江省杭州经济技术开发区白杨街道21号大街600号2幢110室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种氮化镓基半导体激光器，包括衬底、设置在衬底上的波导结构及设置在衬底与波导结构之间的多量子阱吸收层，其中，多量子阱吸收层用于吸收由波导结构泄漏到衬底中的光。本发明还公开一种氮化镓基半导体激光器的制作方法。本发明的氮化镓基半导体激光器及其制作方法，未出现衬底模式，改善了远场光斑。 |
