InAlGaN系列合金材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510990660.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106756875B | 公开（公告）日 | 2020-02-04 |
| 申请公布号 | CN106756875B | 申请公布日 | 2020-02-04 |
| 分类号 | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/56 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张峰;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群;孙钱;杨辉 | 申请（专利权）人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址 | 310026 浙江省杭州经济技术开发区白杨街道21号大街600号2幢110室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H2载气下控制温度为1000～1100℃，在衬底上生长第一非掺杂层；在载气下控制温度为1000～1100℃，在所述第一非掺杂层上生长第二掺杂层；在载气下控制生长温度为650～1000℃，在所述第二掺杂层上生长第三掺杂层；停止镓源供给并将载气切换为氮氢混合气体，以0.5‑2℃/s的升温速度逐步升温至退火温度并保持0‑10min，所述退火温度高于所述生长温度；恢复温度至所述设定温度。本发明可以形成界面平整、不含V型缺陷的叠层结构，有助于减小反向漏电，提高器件的可靠性。 |
