一种自带肖特基二极管结构的沟槽MOS器件及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110556172.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299644A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299644A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L27/07（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏华忠;诸建周;李健;黄传伟 | 申请（专利权）人 | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 叶栋 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是自带肖特基二极管结构的沟槽MOS器件及制造方法，结构是有P‑wellMOSFET元胞和无P‑well肖特基元胞交错均匀分布。方法：1）准备外延片；2）外延片表面制作沟槽；3）沟槽内生成栅氧；4）沟槽MOSFET元胞区域P‑well光刻注入推进；5）N+source光刻注入推进；6）ILD淀积；7）欧姆接触孔光刻刻蚀；8）欧姆接触金属淀积光刻刻蚀；9）沟槽肖特基元胞区域肖特基接触孔光刻刻蚀；10）形成肖特基势垒；11）肖特基接触金属淀积光刻刻蚀；12）钝化层淀积光刻刻蚀；13）背金减薄。本发明优点：面积利用最大化，解决了欧姆接触和肖特基接触的矛盾；大幅缩短反向恢复时间，提高开关频率。 |
