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一种沟槽型肖特基器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN202110556185.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113299767A	公开（公告）日	2021-08-24
申请公布号	CN113299767A	申请公布日	2021-08-24
分类号	H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	夏华忠;诸建周;李健;黄传伟	申请（专利权）人	江苏东海半导体股份有限公司
代理机构	苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	叶栋
地址	214000江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
法律状态	-

摘要

本发明是沟槽型肖特基器件及其制造方法，结构是元胞结构为六角形，沟槽顶部形貌倾斜，势垒层金属界面垂直方向上低于接触金属层界面。方法：1）外延片上生长氧化层；2）沟槽光刻刻蚀；3）沟槽内生成栅氧；4）沟槽多晶硅填充；5）多晶硅回刻；6）湿法去除氧化层；7）高温热氧化；8）SiN淀积、ILD二氧化硅层淀积；9）肖特基接触孔光刻，湿法二氧化硅去除；10）SiN/热氧化层干法刻蚀；11）肖特基势垒金属溅射；12）势垒金属合金/势垒金属去除；13）HPD淀积；14）接触金属溅射；15）接触金属光刻刻蚀；16）背金减薄。优点：元胞面积利用最大化，与工艺流程匹配度高；势垒金属更好在沟槽内部积累；避免漏电通道。