一种抑制尖峰电压的MOSFET结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110556184.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299757A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299757A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏华忠;李健;黄传伟;诸建周 | 申请（专利权）人 | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 叶栋 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是抑制尖峰电压的MOSFET结构及制造方法，结构包括依次连接的漏极、漂移区、体区、源极和金属层，还包括接触孔和宽度0.8μm沟槽，沟槽内为厚度0.1μm栅氧，栅氧中心为厚度0.4μm栅极多晶硅，栅极多晶硅中心设宽度0.2μm二氧化硅层。方法：1）外延层光刻；2）沟槽干法刻蚀；3）除光刻胶；4）栅氧形成；5）栅极多晶硅成长；6）硼磷离子注入；7）表面多晶硅刻蚀；8）形成源区体区；9）形成二氧化硅层间膜，光刻和干法刻蚀形成接触孔；10）溅射铝金属层，光刻和等离子干法刻蚀形成金属布线层。优点：在栅极多晶硅中间增加二氧化硅层可降低栅极多晶电阻率，降低栅极电阻，抑制尖峰电流，不增加额外成本。 |
