一种降低导通电阻的TrenchMOSFET结构
基本信息
| 申请号 | CN202120027849.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214043678U | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN214043678U | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡盖;黄传伟;夏华秋;谈益民 | 申请（专利权）人 | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 叶栋 |
| 地址 | 214142江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型是降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其结构包括衬底层和位于衬底层表面的源区金属层、漏区金属层、栅区金属层；衬底层上方与源区金属层、漏区金属层、栅区金属层之间从下至上依次设有水平N+漏层、N‑漂移区、P型阱区层和N+型源区层；还包括双沟槽结构：槽型多晶硅栅区和槽型场氧；槽型场氧右侧设与水平N+漏层连接的纵向N+漏区；源区金属层、漏区金属层、栅区金属层分别通过接触孔内金属分别与N+型源区层、纵向N+漏区、槽型多晶硅栅区连接。本实用新型的优点：结构设计合理，利用表面漏区缩短了载流子在高阻区的漂移路径，能有效的减少其导通电阻。 |
