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一种功率器件外延结构及其制造方法

基本信息

申请号	CN202110556144.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113299739A	公开（公告）日	2021-08-24
申请公布号	CN113299739A	申请公布日	2021-08-24
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	夏华忠;李健;黄传伟;诸建周	申请（专利权）人	江苏东海半导体股份有限公司
代理机构	苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	叶栋
地址	214000江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
法律状态	-

摘要

本发明是功率器件外延结构及其制造方法，其结构包括相互连接的35μm厚N型外延和N型衬底，N型外延上刻蚀有20μm深沟槽，沟槽底部为15μm厚P型区域，沟槽内和沟槽顶部为15μm厚P型外延。方法包括：1）准备具有N型外延外延片；2）N型外延光刻；3）等离子干法沟槽刻蚀；4）三次硼离子注入；5）光刻胶去除高温推进形成P型区域；6）P型外延填充；7）一次光刻定义N型区域；8）三次磷注入；9）去除光刻胶并高温推进形成N型的区域。本发明的优点：对比多层外延工艺和深沟槽加外延填充工艺，只使用一次外延生长，并且降低了对深沟刻蚀深度的依赖，有效降低了工艺成本和工艺难度，可靠性高，可使超级结工艺具有更大普及性。