倒扣封装背照式光电探测器芯片制作方法
基本信息
| 申请号 | CN02133928.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1492517A | 公开（公告）日 | 2004-04-28 |
| 申请公布号 | CN1492517A | 申请公布日 | 2004-04-28 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L27/14 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱华海 | 申请（专利权）人 | 重庆科业光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 400060重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种倒扣封装背照式的长波InGaAs/InP光电探测器芯片的制作方法，其特征在于：光电探测器芯片的衬底电极不在芯片外延层的表面，而是通过光刻工艺，腐蚀掉外延层后与芯片衬底连接，形成低接触电阻的欧姆接触。与现有的光电探测器相比，既减小了器件的结电容和内引线的分布电容，又降低了光电探测的串联电阻，从而提高了光电探测器的频率响应特性，使之特别适合于高速应用。 |
