大光敏面硅光电探测器的制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

大光敏面硅光电探测器的制作方法

基本信息

申请号	CN02128026.6	申请日	-
公开（公告）号	CN1508886A	公开（公告）日	2004-06-30
申请公布号	CN1508886A	申请公布日	2004-06-30
分类号	H01L31/18;H01L27/14;G01J1/02	分类	基本电气元件;
发明人	朱华海;唐诗才	申请（专利权）人	重庆科业光电有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	400060重庆市南岸区南坪花园路14号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种大光敏面硅光电探测器的制作方法，用于在N型高阻硅单晶衬底上制作大光敏面光电探测器。其特征在于：采用的N型高阻硅单晶片作衬底，分别用硼、磷杂质进行热扩散形成探测器的光敏区和光敏区周围的隔离二极管的两个P⁺N结和一个N⁺N结制作探测器管芯，金属化后的管芯烧压在两面都金属化的Al₂O₃陶瓷片上，再将陶瓷片烧结于管座上，管芯的两个正电极和一个公用负电极使用压焊工艺，与同管座绝缘的三个管脚相连，应用中隔离二极管的两电极经与探测器同样偏置后电学短路连接。与现有的大光敏面硅光电探测器相比，制作工艺简单、成品率高、成本低、高温热稳定性好、暗电流小、噪声低、工作电压低、探测灵敏度高、可靠性好、使用方便、灵活。