可用于热电转换元器件的GaTe薄层材料、应用及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910157331.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109904306A | 公开（公告）日 | 2019-06-18 |
| 申请公布号 | CN109904306A | 申请公布日 | 2019-06-18 |
| 分类号 | H01L35/16（2006.01）I; H01L35/34（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 芦鹏飞; 上官赫婧; 张凡; 张丽; 王庶民 | 申请（专利权）人 | 浙江超晶晟锐光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京万思博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 浙江超晶晟锐光电有限公司 |
| 地址 | 315403 浙江省宁波市余姚市经济开发区冶山路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种可用于热电转换元器件的GaTe薄层材料、应用及制备方法，涉及热电材料应用领域。GaTe薄层材料是在GaTe薄层制备过程中，通过掺杂一定浓度的电子或空穴，使得GaTe薄层材料在N型和P型掺杂的情况下，热电优值达到最大值，实现其向N型或P型半导体的热电转换。本申请通过适当浓度的电子及空穴的掺杂，可将GaTe调制成N或P型半导体，同时N型和P型半导体都可实现较高的热电转换效率，具有良好的热电表现。进而使得其应用于热电转换元器件。GaTe薄层材料制备方法可采用布里奇曼技术、常规分子束外延、化学气相沉积等多种方法进行生长，并通过机械剥离的方式获得其薄层，操作简单，易于实现。 |
