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氮掺杂石墨烯C3N结构在金属离子电池中的应用及金属离子电池的制备方法

基本信息

申请号 CN201910138497.6 申请日 -
公开（公告）号 CN109873143A 公开（公告）日 2019-06-11
申请公布号 CN109873143A 申请公布日 2019-06-11
分类号 H01M4/36（2006.01）I; H01M4/587（2010.01）I; H01M4/62（2006.01）I; H01M10/054（2010.01）I; H01M10/058（2010.01）I; H01M4/133（2010.01）I; H01M4/1393（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 芦鹏飞; 张凡; 曾葱葱; 张丽; 王庶民 申请（专利权）人 浙江超晶晟锐光电有限公司
代理机构 北京万思博知识产权代理有限公司 代理人 浙江超晶晟锐光电有限公司
地址 315403 浙江省宁波市余姚市经济开发区冶山路
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种氮掺杂石墨烯C3N结构在金属离子电池中的应用及金属离子电池的制备方法，涉及金属离子电池领域。本申请是将二维氮掺杂石墨烯C3N作为金属离子电池的阳极材料使用。它是在石墨烯的二维蜂窝晶格结构中均匀地掺杂氮原子，其中N和C原子都显示出D6h对称性。由于C3N独特的网状结构，C3N作为锂离子电池负极材料的理论容量达到1600mAh/g，当实现与锂离子电池相同的容量时，镁离子电池的形状变化很小，从而可以实现更大的理论容量。进而使得金属离子电池获得优良的电化学性质，包括：较优的电导率、优异的理论容量、高稳定性和快速响应。