一种半导体场效应管器件
基本信息
| 申请号 | CN202110792887.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257895B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113257895B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李振道;孙明光;朱伟东 | 申请（专利权）人 | 江苏应能微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址 | 213000江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体场效应管器件，其中，包括：主动区和环绕所述主动区设置的终端区，所述主动区包括多个间隔设置的沟槽，每相邻两个沟槽之间的间距均相同且均为第一距离，所述终端区包括终端环，所述终端环在拐角位置的形状为圆弧状，所述终端环朝向沟槽且与所述沟槽的深度方向垂直的表面形成波浪状，所述终端环形成波浪状的表面到所述沟槽的端面距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离相同。本发明提供的半导体场效应管器件能够提升半导体场效应管器件的抗击穿能力。 |
