降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法

基本信息

申请号	CN202110964535.0	申请日	-
公开（公告）号	CN113410311A	公开（公告）日	2021-09-17
申请公布号	CN113410311A	申请公布日	2021-09-17
分类号	H01L29/861（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	朱伟东;赵泊然;王晓荣	申请（专利权）人	江苏应能微电子股份有限公司
代理机构	无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	屠志力
地址	213002江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
法律状态	-

摘要

本发明提供提供了一种降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有轻掺杂第一导电类型外延层；在轻掺杂第一导电类型外延层内顶部设有第二导电类型重掺杂区；至少一圈隔离槽挖穿轻掺杂第一导电类型外延层，将转向二极管器件区隔离出来，隔离槽内填充有绝缘材料；在第二导电类型重掺杂区表面沉积有介质层，并在介质层中形成有接触孔；在第二导电类型重掺杂区内设有第二导电类型的表面注入区；在介质层上生长有金属层，所述金属层填充接触孔并与第二导电类型的表面注入区接触。本发明还提供了降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管的制造方法，有效降低了转向二极管的正向导通电压和导通电阻。