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一种低电容双向瞬态电压抑制器结构及其制作方法

基本信息

申请号	CN202110740486.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113257807B	公开（公告）日	2021-09-24
申请公布号	CN113257807B	申请公布日	2021-09-24
分类号	H01L27/02;H01L21/8222	分类	基本电气元件;
发明人	朱伟东;赵泊然;江菲娜	申请（专利权）人	江苏应能微电子股份有限公司
代理机构	无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）	代理人	曹祖良;陈丽丽
地址	213000 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
法律状态	-

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种低电容双向瞬态电压抑制器结构，其中，包括：第一双向TVS二极管器件和第二双向TVS二极管器件，第一双向TVS二极管器件和第二双向TVS二极管器件之间通过沟槽隔离，第一双向TVS二极管器件和第二双向TVS二极管器件均包括第一导电类型衬底，第一双向TVS二极管器件还包括第二导电类型埋层、第二导电类型外延层以及第一导电类型掺杂区A；第二双向TVS二极管器件还包括第二导电类型外延层、第二导电类型阱区以及第一导电类型掺杂区B。本发明还公开了一种低电容双向瞬态电压抑制器结构的制作方法。本发明提供的低电容双向瞬态电压抑制器结构实现了在电性能上的双向高静电保护能力和低电容。