沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件
基本信息
| 申请号 | CN202111047854.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113497032A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113497032A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人 | 江苏应能微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 213002江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上部左侧制作有N型阱区，在N型外延上部右侧制作有与N型阱区相切的P型阱区；在N型阱区表面之下内部左侧制作有第一N+区，右侧制作有第一P+区；在P型阱区表面之下内部左侧制作有第二N+区，右侧制作有第二P+区；在N型阱区和P型阱区交界处制作有第三N+区；在第一P+区内刻蚀形成若干第一沟槽，通过原位掺杂P型多晶硅填充所述第一沟槽形成第三P+区；在第二N+区内刻蚀形成若干第二沟槽，通过原位掺杂N型多晶硅填充所述第二沟槽形成第四N+区；本发明可提高横向SCR器件的电流能力与鲁棒性。 |
