双向高压瞬态电压抑制器的结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110964546.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113421930A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113421930A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L29/861（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱伟东;赵泊然;陈德朋 | 申请（专利权）人 | 江苏应能微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 213002江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种双向高压瞬态电压抑制器的结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有一层第二导电类型外延层，与重掺杂第一导电类型衬底形成PN结；在一层第二导电类型外延层顶部形成有第二导电类型中间埋层；在第二导电类型中间埋层上生长有另一层第二导电类型外延层；在另一层第二导电类型外延层顶部形成有重掺杂第一导电类型区，与另一层第二导电类型外延层形成PN结；在重掺杂第一导电类型区上设有介质层；介质层上形成有接触孔，金属层填充接触孔并与重掺杂第一导电类型区接触；介质层和金属层表面覆盖有钝化层；在钝化层中形成用于连接金属层的空腔。本发明可以一颗芯片实现双向高压特性。 |
