集成逆导二极管的可控硅版图结构
基本信息
| 申请号 | CN202110920348.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113363253A | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN113363253A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人 | 江苏应能微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 213002江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种集成逆导二极管的可控硅版图结构，包括N型衬底，在N型衬底右侧部分的顶部区域制作有用于形成SCR器件的P型阱区；在N型衬底内，P型阱区的前侧制作有用于降低逆导二极管电阻的N型阱区；在P型阱区左侧外部，N型阱区后侧的N型衬底内制作有形成阳极接触的第一N+区和第一P+区；第一N+区在第一P+区的左侧且两者相切；在P型阱区内部，制作有形成阴极接触的第二N+区和第二P+区；第二N+区在第二P+区的左侧且两者相切；在P型阱区左边界与N型衬底的边界处，设有第三N+区跨接在此处；在N型阱区内部，制作有用于逆导二极管D的第四N+区和第四P+区；该版图布局简单，寄生参数少，成本低。 |
