集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构

基本信息

申请号	CN202110919920.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113380786A	公开（公告）日	2021-09-10
申请公布号	CN113380786A	申请公布日	2021-09-10
分类号	H01L27/02（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	朱伟东;赵泊然	申请（专利权）人	江苏应能微电子股份有限公司
代理机构	无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	屠志力
地址	213002江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
法律状态	-

摘要

本发明提供一种集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上方左侧制作有N型阱区，在N型阱区右侧与其相切制作有P型阱区；在N型阱区内部表面制作有第一N+区以及与第一N+区右侧相切的第一P+区；在P型阱区内部表面制作有第二N+区以及与第二N+区右侧相切的第二P+区；横跨N型阱区和P型阱区交界处制作有一用于低电压触发的第三N+区，用于形成触发区；在第三N+区与N型阱区中的第一P+区之间利用导线接有一个逆导二极管；逆导二极管阳极与用于低电压触发的第三N+区相连，阴极与N型阱区中的第一P+区相连；本发明既不影响SCR的正向电容又能大大降低逆导二极管电阻。