半导体发光元件
基本信息
| 申请号 | CN202110662667.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113394314A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113394314A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘畅 |
| 地址 | 361012福建省厦门市海沧区兰英路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、掺杂量子阱层、老化光衰控制层以及p型半导体层，所述老化光衰控制层从下至上依次包括具有至少一层非掺杂的垒层的非掺杂量子阱层、第一光衰控制层和/或第二光衰控制层。本发明通过在掺杂量子阱层和p型半导体层之间增加老化光衰控制层，可以降低长期老化过程中掺杂量子阱层的Si与p型半导体层的Mg扩散相接触的几率，改善半导体发光元件，尤其是紫外半导体发光元件的老化发光衰减性能，使得1000小时老化光衰由30％以上（甚至50％以上）下降至10％以内。 |
