紫外半导体发光元件
基本信息
| 申请号 | CN202110661380.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113410345A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113410345A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H01L33/04（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;A61L2/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘畅 |
| 地址 | 361012福建省厦门市海沧区兰英路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种紫外半导体发光元件，从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、老化漏电控制层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述老化漏电控制层为第一结构层与第二结构层组成的超晶格结构。本发明通过在n型半导体层和量子阱层之间增加具有超晶格结构的老化漏电控制层，能够改善紫外半导体发光元件的老化漏电性能。 |
