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深紫外发光元件及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110661377.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113410348A 公开（公告）日 2021-09-17
申请公布号 CN113410348A 申请公布日 2021-09-17
分类号 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;A61L2/10（2006.01）I;A61L9/20（2006.01）I;C02F1/32（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军 申请（专利权）人 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
代理机构 上海思捷知识产权代理有限公司 代理人 刘畅
地址 361012福建省厦门市海沧区兰英路99号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述量子阱层包括掺杂量子阱层和位于所述掺杂量子阱层上的非掺杂量子阱层。本发明通过设置双量子阱结构，提升发光效率和强度，且由于掺杂量子阱层和p型半导体层中间隔着非掺杂量子阱层，可以减少高温或长期使用条件下Mg和Si迁移导致的发光衰减现象，使得1000小时的发光衰减从30％降低到10％以内。