高压倒装发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN202023297763.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214411235U | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN214411235U | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L33/48（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵进超;李超;马新刚;吴珊 | 申请（专利权）人 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种高压倒装发光二极管芯片，包括：衬底；多个芯片单元，位于衬底上，相邻两个芯片单元被桥接凹槽分隔；桥接层，覆盖每个芯片单元和桥接凹槽，桥接层具有每个芯片单元分别对应的第一通孔与第二通孔；P电极、N电极、串联电极，其中，每个芯片单元包括：N型半导体层；有源层；P型半导体层；第一保护电极；以及第二保护电极，多个芯片单元包括第一芯片单元和第二芯片单元，P电极经相应第二通孔与第一芯片单元的第二保护电极相连，N电极经相应第一通孔与第二芯片单元的第一保护电极相连，每个串联电极经相应桥接凹槽、第一通孔以及第二通孔将相邻两个芯片单元中的一个的第一保护电极与另一个的第二保护电极相连。 |
