深紫外发光元件及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

深紫外发光元件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110662673.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113394319A	公开（公告）日	2021-09-14
申请公布号	CN113394319A	申请公布日	2021-09-14
分类号	H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军	申请（专利权）人	厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
代理机构	上海思捷知识产权代理有限公司	代理人	刘畅
地址	361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中所述深紫外发光元件包括：衬底和位于所述衬底上的外延层，所述外延层从下至上依次包括：第一n型半导体层、阻拦层、量子阱层以及P型半导体层，其中，所述阻拦层包括至少两层空穴阻拦层以及每两层相邻的空穴阻拦层之间的第二n型半导体层。本发明通过在所述第一n型半导体层与量子阱层之间增加阻拦层，可以调控量子阱层中的电子和空穴波函数的分布，减少p型空穴往第一n型半导体层扩散跃迁，同时，可以减轻量子阱层的电子和空穴的浓度差异程度，提升量子阱层中电子和空穴的电子波函数的交叠和复合几率，进而提升深紫外发光元件的量子转换效率，使得深紫发光元件的发光效率提升至5％～10％。