深紫外发光元件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110662666.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113410350A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113410350A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;A61L2/10（2006.01）I;A61L9/20（2006.01）I;C02F1/32（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘畅 |
| 地址 | 361012福建省厦门市海沧区兰英路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中，所述深紫外发光元件包括：衬底、依次形成于所述衬底上的第一缓冲层、N极性面修饰层、第二缓冲层、合并层、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层。本发明通过形成N极性面修饰层，减少了晶格失配，降低了深紫外发光元件的缺陷和位错密度，提升了所述深紫外发光元件的发光效率。 |
