高压倒装发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN202023297698.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214411201U | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN214411201U | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L27/15（2006.01）I;H01L33/48（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵进超;李超;马新刚;吴珊 | 申请（专利权）人 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种高压倒装发光二极管芯片，包括：衬底；多个芯片单元，位于衬底上，相邻两个芯片单元被桥接凹槽分隔；桥接层，覆盖每个芯片单元与桥接凹槽，桥接层具有每个芯片单元分别对应的第一通孔与第二通孔；P电极、N电极、串联电极，其中，每个芯片单元包括：N型半导体层；有源层；以及P型半导体层；多个芯片单元包括第一芯片单元和第二芯片单元，P电极经相应第二通孔与第一芯片单元的P型半导体层电连接，N电极经相应第一通孔与第二芯片单元的N型半导体层相连，每个串联电极经相应桥接凹槽、第一通孔以及第二通孔将相邻两个芯片单元中的一个的N型半导体层相连与另一个的P型半导体层电连接。 |
