功率半导体器件结壳热阻状态监测方法、设备、存储介质
基本信息
| 申请号 | CN202011059283.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112327125A | 公开（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申请公布号 | CN112327125A | 申请公布日 | 2021-02-05 |
| 分类号 | G01R31/26(2014.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王博;孟金磊;邓海涛 | 申请（专利权）人 | 北京ABB电气传动系统有限公司 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 黄倩 |
| 地址 | 100015北京市朝阳区酒仙桥北路甲10号D区1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开的实施例涉及功率半导体器件结壳热阻状态监测方法、设备、存储介质。该方法中，根据不同温度下功率半导体器件的饱和压降与导通电流之间的关系，确定预定电流，基于该预定电流，确定功率半导体器件在结壳热阻初始状态下，饱和压降与导通电流之间的关系。在功率半导体器件使用后，继续基于该预定电流，获取饱和压降与导通电流之间的关系。通过监测饱和压降与导通电流关系的变化，监测功率半导体器件结壳热阻的状态。以此方式，提供了一种简单可靠的功率半导体器件的结壳热阻监测方法，并且能够实现对功率半导体器件结壳热阻的在线监测。 |
