ITO基板及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210443960.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102945694B | 公开（公告）日 | 2015-05-20 |
| 申请公布号 | CN102945694B | 申请公布日 | 2015-05-20 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 柳锡运;江成军;余俊佼;夏国涛;李章国;李路;李国勇;杨俊峰 | 申请（专利权）人 | 深圳南玻显示器件科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 深圳南玻显示器件科技有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市蛇口沿山路33号南玻工业大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种ITO基板，包括基板和沉积在所述基板的一个表面的第一ITO膜层，所述第一ITO膜层为纳米结晶态。上述ITO基板包括基板和沉积在所述基板的一个表面的第一ITO膜层，第一ITO膜层为纳米结晶态。纳米结晶态的第一ITO膜层，其内部离子呈周期性排列，具有各向异性，而非晶态的ITO膜层，其内部离子的排列无周期性，具有各向同性。这种ITO基板的纳米结晶态的第一ITO膜层与传统的非晶态的ITO膜层相比，电阻率较低。本发明还提供一种上述ITO基板的制备方法。 |
