电路板化学镀镍金的后浸液及后浸方法
基本信息
申请号 | CN201310421880.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104470236A | 公开(公告)日 | 2015-03-25 |
申请公布号 | CN104470236A | 申请公布日 | 2015-03-25 |
分类号 | H05K3/18(2006.01)I;C23C18/18(2006.01)I;C23C18/32(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
发明人 | 陈兵 | 申请(专利权)人 | 深圳市兴经纬科技开发有限公司 |
代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人 | 张全文 |
地址 | 518000 广东省深圳市南山区创业路保利大厦2307室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种电路板化学镀镍金的后浸液,包括如下浓度含量的组分:硫酸含量为1~10V/V%、还原剂1~30g/L、络合剂10~80g/L。本发明通过添加还原剂及络合剂对后浸液进行改性,去除半塞孔中残留的微蚀液、Cu2+、活化Pd2+等氧化性的物质,有效防止化学镀镍出现漏镀的现象,提高高密度印制电路板的良品率。 |
