一种镓氮雪崩光电二极管组件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201510755003.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106684203B | 公开（公告）日 | 2018-04-27 |
| 申请公布号 | CN106684203B | 申请公布日 | 2018-04-27 |
| 分类号 | H01L31/107;H01L31/0304;H01L31/0236;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吕志勤;吕强;黄臻 | 申请（专利权）人 | 中蕊（武汉）光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 庞红芳 |
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道特1号国际企业中心3栋4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种镓氮雪崩光电二极管组件及其制作方法，所述镓氮雪崩光电二极管组件包括：镓氮雪崩光电二极管和超材料，所述超材料形成于所述镓氮雪崩光电二极管的衬底的背面，使入射光通过超材料之后再进入所述镓氮雪崩光电二极管，所述超材料的电磁共振波长位于280nm‑365nm之间。本发明采用生长工艺和制作技术相对成熟的GaN材料，通过在GaN雪崩光电二极管的衬底背面制作超材料将非日盲紫外光大幅吸收，显著减小了非日盲紫外光的干扰。 |
