一种闪存结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202210659132.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114758955A | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN114758955A | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I;H01L29/788（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 沈安星;张有志;胡晓峰 | 申请（专利权）人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 510700广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种闪存结构的制作方法，包括以下步骤：形成互连层于半导体层上，半导体层中设有存储单元，互连层的顶面显露顶层金属连线层；形成第一钝化层于互连层上；在高于400℃的温度下进行合金化退火步骤；依次形成第二、第三及第四钝化层于第一钝化层上，其中，第四钝化层包括氮化硅层，第一钝化层的材质不同于第四钝化层。本发明的闪存结构的制作方法将合金化退火步骤提前到氮化硅沉积之前，钝化层的氮化硅沉积工艺流程后面没有高温制程，氮化硅薄膜中富含的氢不会分解出H+离子，杜绝了由于较大电场强度的原因把隧穿介质层里甚至浮栅里的电子吸出的可能性。DRB测试结果表明，本发明的闪存结构的DRB性能明显改善，符合可靠性要求。 |
