一种增加爬电距离的半导体封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202021729139.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213124418U | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN213124418U | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱袁正;王燕军;朱久桃;李明芬 | 申请（专利权）人 | 无锡电基集成科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹慧萍 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区研发二路以南、研发一路以东 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种增加爬电距离的半导体封装结构，其可增加引线之间的爬电距离，同时可增加器件的绝缘强度，满足半导体器件的高耐压要求，其包括壳体、若干个由内部芯片引出的贯穿壳体的引线，至少一个引线上包覆有凸缘，凸缘位于引线与壳体外表面相邻的部位，或至少一个引线上包覆有凸缘，同时相邻两个引线之间开有凹槽，凹槽的两端分别贯穿壳体的顶端端面和底端端面。 |
