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一种增加爬电距离的半导体封装结构及其封装方法

基本信息

申请号 CN202010828782.3 申请日 -
公开（公告）号 CN111916407A 公开（公告）日 2020-11-10
申请公布号 CN111916407A 申请公布日 2020-11-10
分类号 H01L23/29(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 朱袁正;王燕军;朱久桃;李明芬 申请（专利权）人 无锡电基集成科技有限公司
代理机构 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） 代理人 曹慧萍
地址 214000江苏省无锡市新吴区研发二路以南、研发一路以东
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种增加爬电距离的半导体封装结构及其封装方法，其可增加引线之间的爬电距离，同时可增加器件的绝缘强度，满足半导体器件的高耐压要求，其包括壳体、若干个由内部芯片引出的贯穿壳体的引线，至少一个引线上包覆有凸缘，凸缘位于引线与壳体外表面相邻的部位，或至少一个引线上包覆有凸缘，同时引线之间开有凹槽，一种实现上述封装结构封装的方法，采用环氧树脂将所述芯片及所述引线的一端密封封装，引线之间的爬电路径上设置有若干个所述凸缘或凸缘与凹槽的组合结构，凸缘与壳体一体成型，或凸缘、凹槽与壳体一体成型。