一种R-T-B系永磁材料及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010641046.7 申请日 -
公开(公告)号 CN111627635B 公开(公告)日 2021-08-27
申请公布号 CN111627635B 申请公布日 2021-08-27
分类号 H01F1/057(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王金磊;黄佳莹;黄清芳;汤志辉;黎国妃 申请(专利权)人 福建省长汀金龙稀土有限公司
代理机构 上海弼兴律师事务所 代理人 薛琦;倪丽红
地址 366300福建省龙岩市长汀经济开发区工业新区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法。以重量百分比计,该材料包括下述组分:R:28.5wt%~33.57wt%;所述的R为稀土元素,其包含Nd和重稀土元素R,所述的R的含量为0.5wt%~12.0wt%;Al:≥0.01wt%;Cu:0.05wt%~1.0wt%;Co:0wt%~2.5wt%;Ga:0.05wt%~1.0wt%;Zr:0wt%~0.7wt%;B:0.88wt%~1.2wt%;所述的Cu和所述的Al的总含量≥0.65wt%。该材料耐高温性能好,受热后磁性能衰减较小。