一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构
基本信息
| 申请号 | CN202110174599.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112532201B | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN112532201B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H03H9/17（2006.01）I;H03H9/56（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 安虹瑾;董元旦;杨涛;安建光;赵孟娟 | 申请（专利权）人 | 成都频岢微电子有限公司 |
| 代理机构 | 成都拓荒者知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邹广春 |
| 地址 | 611730四川省成都市郫都区德源镇（菁蓉镇）田坝东街6号4楼401室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及滤波器领域，具体涉及一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，技术方案包括：所述layout结构包括环形金属导体、设置于滤波器外环，所述环形金属导体连接所述滤波器多个接地端，在滤波器外环设置环形金属导体，将多个接地端连接在一起，形成另一共地连接端，在接地端之间引入新的电感，从而在高频段产生一个或者多个零点，有效的改善了滤波器高频的抑制，并且不影响通带特性。 |
