用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板

基本信息

申请号 CN202023003212.5 申请日 -
公开(公告)号 CN214004854U 公开(公告)日 2021-08-20
申请公布号 CN214004854U 申请公布日 2021-08-20
分类号 C30B7/10(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 易际让;王晓刚;刘盛浦 申请(专利权)人 山东博达光电有限公司
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 代理人 金祺
地址 271500山东省泰安市东平县经济开发区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板,被置于水热高压釜的内腔中,包括大小相等、且轴心线相重合的上挡板和下挡板;上挡板(1)与下挡板(3)之间的间距为可调间距;在上挡板(1)上分别设有上挡板下降通孔(6‑1)、上挡板上升通孔(6‑2);在下挡板(3)上分别设有下挡板下降通孔(6‑3)和下挡板上升通孔(6‑4);相对应的上挡板下降通孔(6‑1)和下挡板下降通孔(6‑3)的正投影与上挡板(1)轴心线的夹角为大于0°~小于90°。本实用新型通过对双层挡板的间距调整和上下板通孔的旋转角度的限定,改变矿化剂液体对流状态,使得高压釜生长区的晶体生长速率趋于一致,提高晶体的结晶均匀性。