一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置
基本信息
| 申请号 | CN201711499329.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109994049A | 公开（公告）日 | 2019-07-09 |
| 申请公布号 | CN109994049A | 申请公布日 | 2019-07-09 |
| 分类号 | G09F9/33 | 分类 | 教育；密码术；显示；广告；印鉴; |
| 发明人 | 孙雷 | 申请（专利权）人 | 北京德瑞工贸有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100000 北京市北京经济技术开发区中和街14号2幢2层A2079号（集中办公区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的MicroLD的装置，通过计算机控制MOS集成电路，MOS集成电路能分别控制微小的半导体激光二极管阵列中的每一个半导体激光二极管开关和强弱，最终形成图像。MicroLD与MicroLED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。 |
