超导薄膜制备方法及超导薄膜
基本信息
| 申请号 | CN202011012963.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112126983A | 公开（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申请公布号 | CN112126983A | 申请公布日 | 2020-12-25 |
| 分类号 | C30B29/52(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 倪健;楼厦;薛聪 | 申请（专利权）人 | 埃特曼半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 埃特曼（深圳）半导体技术有限公司 |
| 地址 | 518051广东省深圳市南山区招商街道文竹园社区荔园路51源华综合楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种超导薄膜制备方法及超导薄膜，包括：提供基底；去除所述基底上表面的杂质并形成平滑上表面；采用分子束外延生长技术于所述平滑上表面上生长镧系金属单晶层，使得所述平滑上表面与所述镧系金属单晶层之间生成一原子级平整的界面。本申请提供了一种制作工艺简单、周期短的超导薄膜制备方法，利用该方法制备的超导薄膜具有优良的低温超导性能；并且该超导薄膜中具有一原子级平整的界面，该原子级平整的界面在原子尺度上规则、平整、几乎无缺陷及杂质，可以通过该原子级平整的界面研究电子结构，以获取超导电性的起源，也可以为完善超导理论、探索更多超导材料提供启示。 |
