锑化物高电子迁移率晶体管及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011438021.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112563137A | 公开（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申请公布号 | CN112563137A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪健;董海云;薛聪 | 申请（专利权）人 | 埃特曼半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 魏宇星 |
| 地址 | 518051广东省深圳市南山区招商街道文竹园社区荔园路51源华综合楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管及制备方法，所述制备方法包括：提供衬底；于所述衬底的表面形成电子阻挡层；于所述电子阻挡层的表面形成锑化物外延结构。通过在锑化物外延结构和衬底之间设计引入电子阻挡层，解决衬底中的原子向上层结构扩散可能带来的器件漏电以及衬底原子不可控的扩散增加沟道层中电子浓度的控制难度等问题；锑化物外延结构既保证整体锑化物高分子迁移率晶体管的正常工作，同时缓解了常见的衬底与上层锑化物存在的晶格失配的问题，进而有效提高锑化物高电子迁移率晶体管沟道的电子浓度和在室温条件下的电子迁移率。 |
