砷喷射室装置及分子束外延设备
基本信息
| 申请号 | CN202022701489.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214271019U | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN214271019U | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | C23C14/06（2006.01）I;C23C14/22（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 楼厦;倪健;薛聪 | 申请（专利权）人 | 埃特曼半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 魏宇星 |
| 地址 | 518051广东省深圳市南山区招商街道文竹园社区荔园路51源华综合楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种砷喷射室装置及分子束外延设备，所述砷喷射室装置设置于分子束外延设备，包括：砷真空腔，用于对所述砷真空腔内的单质砷加热，以得到四砷分子；热裂解器，用于对所述热裂解器内的四砷分子热裂解处理，以获得砷分子束；控制阀，所述控制阀的输入端与所述砷真空腔的第一输出端连接，所述控制阀的输出端与所述热裂解器的输入端连接，所述控制阀用于调节进入所述热裂解器内的四砷分子的流量；其中，所述四砷分子的热裂解温度大于所述单质砷的加热温度。利用过渡腔体缓冲的方式，来使得四砷分子进入到热裂解器中气压保持稳定，以便于裂解获得的砷分子束数量稳定、裂解比例高，有利于后期在分子束外延设备制备薄膜材料的生长。 |
