具有过渡金属硫化物薄膜的结构的制备方法及结构
基本信息
| 申请号 | CN202011296337.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112522783A | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN112522783A | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 倪健;黄万通;薛聪 | 申请（专利权）人 | 埃特曼半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 李睿 |
| 地址 | 518051广东省深圳市南山区招商街道文竹园社区荔园路51源华综合楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种具有过渡金属硫化物薄膜的结构的制备方法及结构，制备方法包括：提供衬底；于所述衬底的表面形成石墨烯层；于所述石墨烯层的表面形成过渡金属硫化物薄膜。在提供的衬底上依次形成石墨烯层和过渡金属硫化物薄膜，石墨烯层与过渡金属硫化物薄膜之间为范德瓦尔斯力，解决了薄膜与衬底之间存在的晶格失配问题，保证过渡金属硫化物薄膜最本征的性质，从而获得高质量的过渡金属硫化物薄膜。 |
