首页/ 青岛红星化工厂有限公司/ 专利详情

一种在全室温下制备低压双电层ITO透明薄膜晶体管的工艺

基本信息

申请号 CN201210597524.4 申请日 -
公开（公告）号 CN103107093A 公开（公告）日 2013-05-15
申请公布号 CN103107093A 申请公布日 2013-05-15
分类号 H01L21/336(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 纪成友;刘志龙 申请（专利权）人 青岛红星化工厂有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 266000 山东省青岛市李沧区四流北路43号
法律状态 -

摘要

摘要 一种底栅结构的低压双电层ITO透明薄膜晶体管的制备工艺，包括：清洁衬底步骤；制备栅极步骤；制备绝缘层步骤；ITO沟道层的沉积步骤；源、漏极的制备步骤。上述制备绝缘层步骤、ITO沟道层的沉积步骤以及源、漏极的制备步骤均在室温下进行。