一种在全室温下制备低压双电层ITO透明薄膜晶体管的工艺
基本信息
申请号 | CN201210597524.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103107093A | 公开(公告)日 | 2013-05-15 |
申请公布号 | CN103107093A | 申请公布日 | 2013-05-15 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 纪成友;刘志龙 | 申请(专利权)人 | 青岛红星化工厂有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 266000 山东省青岛市李沧区四流北路43号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种底栅结构的低压双电层ITO透明薄膜晶体管的制备工艺,包括:清洁衬底步骤;制备栅极步骤;制备绝缘层步骤;ITO沟道层的沉积步骤;源、漏极的制备步骤。上述制备绝缘层步骤、ITO沟道层的沉积步骤以及源、漏极的制备步骤均在室温下进行。 |
