一种场发射阴极的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201210595720.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103065909A | 公开（公告）日 | 2013-04-24 |
| 申请公布号 | CN103065909A | 申请公布日 | 2013-04-24 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 纪成友;刘志龙 | 申请（专利权）人 | 青岛红星化工厂有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266000 山东省青岛市李沧区四流北路43号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种HfNxOy纳米线场发射阴极的制备方法，包括：Si衬底在丙酮和酒精中分别经超声清洗15min，然后用去离子水冲洗；采用高纯Ar作为溅射气体，高纯N2作为反应气体；真空室本底压强1.5×10-1Pa，溅射沉积过程的压强为1.5Pa，溅射时所加电压为400V，电流为0.4A，溅射时间为30min，溅射HfNxOy；生成后的样品再在管式炉中，不同温度下，NZ气氛中退火2小时。 |
