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一种场发射阴极的处理方法

基本信息

申请号 CN201210595736.9 申请日 -
公开（公告）号 CN103077869A 公开（公告）日 2013-05-01
申请公布号 CN103077869A 申请公布日 2013-05-01
分类号 H01J9/02(2006.01)I;C01B31/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 纪成友;刘志龙 申请（专利权）人 青岛红星化工厂有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 266000 山东省青岛市李沧区四流北路43号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种场发射阴极的处理方法，包括在MWCNT上用化学法包覆钛。电压-电场发射电流(V-I)特性实验结果见可以发现，烧结处理后的样品场发射性能好于未烧结组。