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一种场发射阴极的处理方法

基本信息

申请号 CN201210595734.X 申请日 -
公开（公告）号 CN103077868A 公开（公告）日 2013-05-01
申请公布号 CN103077868A 申请公布日 2013-05-01
分类号 H01J9/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 纪成友;刘志龙 申请（专利权）人 青岛红星化工厂有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 266000 山东省青岛市李沧区四流北路43号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种GaN纳米线场发射阴极的制备方法，包括：先通过电子束蒸发的方法在Si衬底上沉积一层10nm厚的Ni薄层；把盛有Si衬底和高纯金属Ga的钨舟放入管式炉内的石英管中置；把石英管的温度升到某一固定值；再通NH3和Ar的混合气；自然冷却到室温。