一种场发射阴极的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201210595710.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103077866A | 公开（公告）日 | 2013-05-01 |
| 申请公布号 | CN103077866A | 申请公布日 | 2013-05-01 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 纪成友;刘志龙 | 申请（专利权）人 | 青岛红星化工厂有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266000 山东省青岛市李沧区四流北路43号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种InGaAlN纳米线场发射阴极的制备方法，包括：先通过CVD的方法在沉积了一层Au的Si衬底上生长InGaAlN样品；把盛有Si衬底和高纯金属Ga、Al和In的钨舟放入管式炉内的石英管中；随后，用机械泵对石英管抽气，把石英管的温度升到某一固定值；再通NH3和Ar的混合气体；自然冷却到室温。 |
